简介： 本发明公开了一种基于双面核/壳结构硅纳米线组的热电材料的制备方法，该方法是在硅片上生长硅纳米线得到基于双面核/壳结构硅纳米线组的热电材料，其硅为核、外围包裹自然氧化层为壳，其硅纳米线直径为20～300nm、长度为150～155μm，该热电材料的热导率常温下为0.97Wm-1K-1，ZT为1.02。本发明得到的热电材料应用时无需去除氧化层，在纳米器件领域和新能源领域具有广阔的应用前景；本发明具有制备方法简单，低成本，高重复性，对环境要求低，适用于大规模工业生产。