简介： 本发明公开了一种基于核/壳结构硅纳米线的肖特基二极管制备方法，该方法包括：硅片清洗、背电极制备、硅纳米线制备、硅纳米线间隙填充及沉积Pt薄膜等步骤；其硅纳米线为核/壳结构，硅为核、表面氧化层为壳，在应用时无需去除表面氧化层，所制备的肖特基二极管电流传输机制为缺陷辅助隧穿机制，具有优良的整流特性，在纳米器件领域和新能源领域具有广阔的应用前景。本发明具有制备方法简单，对环境、成本要求低，高重复性，适用于大规模工业生产。