简介： 本发明公开了一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制作方法，主要解决现有高压碳化硅MOSFET导通电阻较大的问题。该器件包括：源极（1）、栅极（2）、栅氧介质（3）、N型源区（4）、P阱区（5）、JEFT区（6）、P型外延柱区（7）、N-外延（8）、P型衬底柱区（9）、N+衬底（10）和漏极（11），其中在P阱的正下方的N+衬底与N-外延的部分分别设有P型外延柱区（7）和P型衬底柱区（9），本发明可以有效降低器件的导通电阻，同时改善器件体内的电场分布，提高器件的耐压。本发明器件具有击穿电压高，导通电阻低，开关速度快、开关损耗低等优点，同时制作工艺简单，易于实现，可用于电力电子变压器，新能源发电、光伏逆变器等领域。