简介： 本发明公开一种MoS₂/MoSe₂异质结薄膜的制备方法，涉及半导体薄膜制备技术和新能源开发的领域。所述制备方法，包括如下步骤：(1)反应前驱液的制备：在溶剂中加入还原性试剂，搅拌至溶解；溶解后，依次加入硫源、钼源、硒源，搅拌至溶解，混合均匀后，得到反应前驱液；(2)基片衬底的前期表面处理：将基片衬底进行切割，切割后进行超声清洗，再浸泡清洗，清洗完成后进行干燥处理；(3)溶剂热反应：将步骤(2)中经过前期表面处理的基片衬底，与步骤(1)中得到的反应前驱液接触，进行溶剂热反应，得到沉积有MoS₂/MoSe₂异质结薄膜的基片；(4)将步骤(3)中得到的沉积有MoS₂/MoSe₂异质结薄膜的基片，进行清洗、真空干燥，得到所述MoS₂/MoSe₂异质结薄膜。