简介： 本发明涉及一种表面富硒的NiSe2纳米片的制备方法，属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明先合成Ni(OH)2薄片，然后在高温下硒(Se)化得到表面富硒的NiSe2纳米片。本发明所合成的富硒的NiSe2纳米片化学性稳定、结晶性好、析氢性能优良，同时，本发明所述方法制备工艺简单，操作方便且成本低，利用本发明方法可制造电化学析氢半导体材料，应用在新能源领域。