简介： 本发明公开了属于光伏新能源材料技术领域的一种连续制备铜铟镓硒硫太阳能电池吸收层的工艺。首先制备CuInGa合金预制膜,再采用连续式硒化硫化炉对CuInGa合金预制膜进行硒化硫化。采用磁控溅射的方法制备CuInGa合金预制膜,实现了大面积、成分均匀的薄膜的制备;采用低毒性的固态硒源、硫源制备CIGSeS/CIGSe复合薄膜,避免使用剧毒硒源,提高了实验和生产的安全性;采用连续的硒化硫化工艺制备复合薄膜,提高了吸收层的质量,制备出具备S成分梯度分布的CIGSeS/CIGSe复合薄膜,形成沿厚度方向具有禁带梯度分布的吸收层,提高了对太阳光谱中能量的吸收,显著改善了CISe系太阳能电池的光电转换效率。