高纯度、高产率制备WS2层片状纳米结构的方法
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高纯度、高产率制备WS2层片状纳米结构的方法
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简介: 本发明涉及一种高纯度、高产率制备WS2层片状纳米结构的方法,属于材料制备技术领域。本发明采用真空加热炉,以三氧化钨粉和硫粉作为蒸发源,在真空环境中通过分离式加热蒸发的方法,在载气带动下,高产率一步合成得到高纯度、高密度的WS2层片状纳米结构。该方法具有设备和工艺简单、材料合成与生长条件严格可控、产品收率高、成本低廉等优点。所获得的WS2层片状纳米结构,厚度在50-250nm之间,直径在20-40μm之间,产物纯度高,纳米结构直径和厚度均匀,形貌可控,可望在固体润滑剂、润滑油添加剂、半导体器件以及新能源材料领域获得广泛应用。
本发明涉及一种高纯度、高产率制备WS2层片状纳米结构的方法,属于材料制备技术领域。本发明采用真空加热炉,以三氧化钨粉和硫粉作为蒸发源,在真空环境中通过分离式加热蒸发的方法,在载气带动下,高产率一步合成得到高纯度、高密度的WS2层片状纳米结构。该方法具有设备和工艺简单、材料合成与生长条件严格可控、产品收率高、成本低廉等优点。所获得的WS2层片状纳米结构,厚度在50-250nm之间,直径在20-40μm之间,产物纯度高,纳米结构直径和厚度均匀,形貌可控,可望在固体润滑剂、润滑油添加剂、半导体器件以及新能源材料领域获得广泛应用。
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