简介： 本发明涉及一种纳米柱森林的加工方法,其步骤包括:1)准备并清洗所选用的衬底;2)在衬底的表面上旋涂光刻胶,并对光刻胶依次进行前烘、曝光和显影,最后形成光刻胶图形;3)对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀,在衬底上形成一层图形化的纳米点状结构;4)用纳米点状结构为掩模,各向异性刻蚀衬底,形成初始纳米柱;5)在初始纳米柱表面保形沉积薄膜;6)通过各向异性刻蚀薄膜,在初始纳米柱的周围形成侧墙;7)以包裹侧墙的初始纳米柱为掩模,各向异性刻蚀衬底,形成纳米柱;8)去除纳米柱表面上的侧墙残留,得到图形化的纳米柱森林结构。使用本发明制作的图形化纳米柱森林可广泛应用于新能源器件、生物医学检测器件、微流控器件、电子器件以及纳米压印中。