简介： 本实用新型涉及一种基于石墨烯的远红外辐射发热芯片，所述远红外辐射发热芯片具有多层结构，该多层结构包括：第一绝缘阻燃基材(1)和第二绝缘阻燃基材(5)、发热层(2)、铜银复合电极(3)以及热熔复合材料层(4)。该远红外辐射发热芯片的电‑热辐射转换效率高、温度均匀、功率基本零衰减、耐热耐燃，解决了现有技术中功率衰减、使用寿命短、发热膜不耐温耐热耐燃的问题，杜绝了安全事故的发生。