简介： 本实用新型公开了基于半导体材料NiO的X型腔脉冲激光器，带尾纤输出的半导体激光器产生940nm连续光依次经过耦合透镜和凹面输入镜入射到Yb:YAG/Cr4+:YAG/YAG晶体，经过Yb:YAG/Cr4+:YAG/YAG晶体的增益激光由凹面全反镜反射到达平面全反镜，然后被反射并原路返回，到达凹面输入镜后反射，经过NiO复合材料可饱和吸收体后到达输出镜输出1030nm波段的脉冲激光。本实用新型利用NiO所具有的可饱和吸收特性，可获得高能量的锁膜脉冲激光，实现纳秒级的脉冲输出。此外，基于NiO纳米片在近红外波段的带内电子跃迁所产生的饱和吸收特性，优选NiO纳米片薄膜厚度进而实现NiO可饱和吸收体在不同激光波段的运转。