简介： 本发明属于二次电池技术领域，尤其涉及一种负极材料及其制备方法、负极片和二次电池。本发明的负极材料的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、将硅胶溶液与硫化钠混合，加热反应，过滤洗涤，除杂得到单质硅；步骤S2、将上述的单质硅与碳源、氟源和结构模板材料加入溶剂中，混合，冷冻干燥得到粉末体；步骤S3、将粉末体在惰性气体中加热煅烧得到Si@C‑F复合材料即负极材料。本发明的一种负极材料的制造方法，反应制备得到具有较小颗粒粒径的单质硅，与碳、氟元素在结构模板材料中进行混合，煅烧得到的负极材料有效地解决硅的体积膨胀问题，同时具有良好的倍率性能和循环性能。