简介： 本发明属于半导体纳米复合材料制备技术领域，特别是涉及一种高温石墨烯基底上直接生长Ge量子点的方法。本发明采用溅射沉积技术，在高温条件下的石墨烯基的衬底上，直接溅射生长Ge量子点，溅射生长时间为100 s~500 s。本发明通过工艺简单的溅射沉积技术在高温石墨烯基的衬底上直接生长出了结晶性好、高密度、尺寸均匀的Ge量子点，有效地解决了室温下制备的Ge点不结晶、低密度、尺寸大、均匀性差的不足，为高性能红外光电探测器等半导体光电器件的研发提供了有效途径。