简介： 本发明公开了一种分级结构SiC纳米线的制备方法。包括以下步骤:SiC前驱体混合凝胶的配制;将混合凝胶干燥并研磨成粉状;将干凝胶粉放入石墨坩埚中,置于高温气氛炉内,抽真空并充氩气作为保护气;高温气氛炉升温,然后保温烧结;随炉自然冷却至室温,即得分级结构SiC纳米线。本发明工艺简单、成本低、不产生污染环境的有害气体,且能够实现对产物形貌的有效控制,在半导体器件、纳米复合材料、太阳能电池、催化剂方面具有广泛的应用前景。