简介： 本发明涉及一种利用二次阳极氧化铝(AAO)模板法制备Cu‑PANI同轴纳米线阵列的方法；其同轴纳米线直径为120nm，长度为0.4‑2.5μm。利用三电极体系进行控电位沉积；首先将二次阳极氧化铝膜电极置于含有苯胺和盐酸的电解液中，控电位沉积PANI纳米管，沉积电位为0.7～1.0V，电解液温度为20～40℃；然后将制备的PANI纳米管置于含有CuSO₄和Na₂SO₄的电解液中控电位沉积Cu纳米线，沉积电位为‑0.3～0.0V，电解液温度为20～50℃；将制好的材料置于NaOH溶液中溶解AAO模板，洗涤干燥后得到Cu‑PANI同轴纳米线阵列。该方法制备的复合材料排列整齐、长度可控，操作简单、易于实现，且得到的材料在电化学传感器方面有较好的性能。