简介： 本发明涉及一种ZnS@g‑C3N4异质结光催化材料及其制备方法。本发明是要解决现有的宽带隙半导体光催化剂光谱响应范围窄、太阳能利用率低以及电子空穴复合快的问题。本发明合成的ZnS@g‑C3N4光催化材料，其结构特征为由5纳米的细小单晶组装成的多孔硫化锌（ZnS）微球，沉积于片层的g‑C3N4上，二者形成比表面积较大的异质结构；该复合材料的制备方法为：一、超声处理g‑C3N4；二、混合搅拌；三、加热；四、洗涤及干燥。本发明采用溶剂热合成法，对环境友好，原料廉价易得，成本低，合成路线简单，易于大规模工业化生产，所得产品稳定性好、易于储存，且在可见光区对罗丹明B有很好的降解效果，且可重复利用。本发明合成的ZnS@g‑C3N4异质结光催化材料提高了太阳光的利用率，可应用于污水治理领域。