简介： 本发明属于金属复合材料及其制备技术领域，提供了一种多孔Cu‑SiC复合膜及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：S1、准备基片；S2、安装靶位；S3、制备Cu3N‑SiC复合膜；S4、制备多孔Cu‑SiC复合膜，将Cu3N‑SiC复合膜置于惰性气体环境进行退火处理，得到均匀分布的多孔Cu‑SiC复合膜。本发明通过利用Cu3N薄膜的较低的分解温度，分解为单质铜和氮气，双靶共溅射，可以使得方便改变铜靶的溅射功率，有效调控薄膜中铜或SiC的含量，方便、有效调控复合膜内SiC的体积分布、粒度大小和金属的成份，工艺简单，膜与基片结合紧密、孔径细小均匀，Cu‑SiC薄膜孔隙分布均匀。