简介： 本发明涉及一种石墨烯-氮化硼异质相复合薄膜材料的制备方法。目前石墨烯和氮化硼原子层薄膜的均可通过化学气相沉积法生长，石墨烯氮化硼异质相薄膜通过分步石墨烯和氮化硼然后转移至基底表面实现复合薄膜的制备，这种方法往往造成石墨烯与氮化硼界面的污染，影响复合薄膜的电学性能。在石墨烯表面生长氮化硼往往获得同一原子层面内的氮化硼与石墨烯复合材料。本方法采用分步合成方法，首先合成氮化硼，然后在氮化硼与金属催化剂界面层处生长石墨烯，获得石墨烯氮化硼异质相薄膜材料。该方法制备的石墨烯与氮化硼界面处清洁无污染，对于提高复合的电学性能是有益的。