简介： 本发明一种三维阵列碳纳米管及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域；所述碳纳米管单根直径为30‑50nm,长度为2‑3μm。制备方法步骤为：步骤1：在基底上生长氧化物纳米阵列作为模板，并在烘箱中干燥完全；步骤2：在步骤1得到的氧化物纳米阵列上包覆碳层；步骤3：在400‑800℃下进行化学气相沉积CVD反应，在反应过程中去除模板以及完成表面碳化过程，最终得到所述三维阵列碳纳米管。本发明制备工艺简单，成本低廉，易于调控，可大规模生产。可用于催化、能源及复合材料等领域。与传统方式制备的无序堆叠的碳纳米管相比，本发明制备了高度有序的垂直氮掺杂碳纳米管(V‑CNTs)。