简介： 本发明涉及光催化半导体材料技术领域，具体为一种SiP₂量子点/光催化材料及其制备方法。通过机械剥离的的方法将大颗粒的SiP₂单晶超声成小尺寸的SiP₂量子点，然后通过滴加、旋涂或者浸渍的方法将SiP₂量子点均匀的覆盖在光催化材料的表面得到SiP₂/光催化材料复合材料。本发明中SiP₂量子点能够拓宽吸光范围、加快电子分离与传输、降低光催化能垒、提高效率，此外用量少，价格低，不会对TiO₂等光催化剂材料的稳定性等造成影响。另外通过机械剥离获得纳米级SiP₂是高度可行的并且表现出优异的光催化性能，其制备方法简单，因此将SiP₂量子点与半导体光催化剂进行复合提高催化效率将有很大的应用前景及意义。