简介： 本发明涉及微电子散热领域，尤其是一种大功率芯片散热装置制作方法。本发明所要解决的技术问题是：针对现有技术存在的大功率芯片高热流密度、散热困难的问题，提供一种大功率芯片散热装置制作方法。本发明采用了高导热金刚石铜复合材料作为大功率半导体散热热沉，同时在金刚石铜热沉上设计微流通道，并通过液体相变层，采用焊接技术形成蒸汽腔，然后抽真空，注入工作介质，最后收口，然后通过大功率芯片直接焊接在带有蒸汽空腔的金刚石铜载体上，利用金刚石铜高导热率和液体相变散热，提高大功率芯片的散热效率。