简介： 本发明提供了一种g‑C₃N₄/CsPbI₃/TiO₂纳米管阵列的制备方法，属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为：通过金属钛或钛合金的电化学阳极氧化法首先制备纳米管阵列结构；然后在马弗炉中进行晶化处理，得到TiO₂纳米管阵列；再将CsPbI₃纳米粒子加入g‑C₃N₄悬浮液中，得到含CsPbI₃和g‑C₃N₄的混合溶液；最后将TiO₂纳米管阵列与混合溶液反应，制备得到g‑C₃N₄/CsPbI₃/TiO₂纳米管阵列。该改性处理方法在充分发挥纳米管有序阵列的优势的同时，实现了两种半导体材料的多元复合改性。制备得到的g‑C₃N₄/CsPbI₃/TiO₂纳米管阵列，比表面积大，对太阳光的响应吸收范围宽，可作为高性能的复合电极，为高性能光催化剂的设计提供支撑。