简介： 本发明公开了一种自适应电磁脉冲屏蔽薄膜制备方法、所制得的薄膜及应用，涉及电磁屏蔽材料领域。步骤如下：取AgNWs加入乙醇、水和氨水得溶液E；将TEOS加入乙醇中并滴加入溶液E中，室温反应20‑30h得溶液F；将溶液F超声离心，取沉淀，洗涤得AgNWs@SiO₂；取PVA和水，搅拌，加热至85‑95℃，搅拌至PVA完全溶解得到溶液G；取AgNWs@SiO₂加入到溶液G，温度60‑70℃，搅拌10‑15h得到复合材料流体，进行流延成膜，待溶剂挥发后得到自适应电磁脉冲屏蔽薄膜；其中，AgNWs和TEOS的质量比为15‑25:1；PVA聚合度为1700，醇解度为99%；PVA和AgNWs@SiO₂的质量比为100:40‑120。本方法工艺简单，成本低，反应时间短，易于大量制备；制得的薄膜分布均匀，分散性较好，无团聚，可应用于自适应电磁脉冲防护领域。