简介： 抗干扰半导体集成电路的集成方法，是将金属与陶瓷的复合材料用作管基和管帽外层的材料，具体做法是：在预先烧结成型的陶瓷管帽的外表面，用涂覆金属浆料烧结方式或化学电镀方式或真空镀膜的方式形成所需管帽金属层；用低温共烧陶瓷工艺及厚膜印刷与烧结工艺制作管基底座，形成半导体集成电路芯片键合区、外表面管基金属层、对外引脚结构；再进行半导体集成电路芯片的装贴、引线键合和封帽；使封装内外电磁环境实现良好的隔离，以满足从低频到高频的电磁全频段的屏蔽要求。用本发明方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。