简介:
本发明属于纳米材料技术领域,具体公开了一种哑铃状三元过渡金属硫化物材料及其制备方法和用途。MoS2纳米花负载于CdS纳米棒的两尖端,呈哑铃形状;Cu2S纳米颗粒修饰在CdS纳米棒上,在壁上形成核壳结构。其中,所述CdS纳米棒的长度为1‑3μm,直径为10‑100nm,MoS2纳米花的粒径为200‑500nm,Cu2S纳米颗粒的粒径为2‑10nm。材料制备方法为:首先通过水热反应合成CdS纳米棒;然后利用二次水热反应,将MoS2负载至CdS纳米棒两尖端,离心,洗涤,干燥,得到MoS2‑CdS纳米复合材料;最后通过一步原位光诱导的阳离子交换法将Cu2S纳米颗粒选择性修饰到MoS2‑CdS纳米棒的侧壁上,即制得目的产物。该产品具有较高的光催化制氢活性,极易于广泛地应用于商业化制氢领域。
本发明属于
纳米材料技术领域,具体公开了一种哑铃状三元过渡金属硫化物材料及其制备方法和用途。MoS2纳米花负载于CdS纳米棒的两尖端,呈哑铃形状;Cu2S纳米颗粒修饰在CdS纳米棒上,在壁上形成核壳结构。其中,所述CdS纳米棒的长度为1‑3μm,直径为10‑100nm,MoS2纳米花的粒径为200‑500nm,Cu2S纳米颗粒的粒径为2‑10nm。材料制备方法为:首先通过水热反应合成CdS纳米棒;然后利用二次水热反应,将MoS2负载至CdS纳米棒两尖端,离心,洗涤,干燥,得到MoS2‑CdS纳米
复合材料;最后通过一步原位光诱导的阳离子交换法将Cu2S纳米颗粒选择性修饰到MoS2‑CdS纳米棒的侧壁上,即制得目的产物。该产品具有较高的光催化制氢活性,极易于广泛地应用于商业化制氢领域。