简介:
一种二维钛酸钡填料掺杂的聚偏氟乙烯基复合介质薄膜及其制备方法,它属于复合介质与能量储存领域。本发明利用熔盐法制备具有高介电常数的二维片状钛酸钡,以此作为填料,将聚偏氟乙烯加入N,N‑二甲基甲酰胺溶液中,超声分散30min,得到聚偏氟乙烯溶液,按照一定料液比将处理后的二维片状钛酸钡晶体加入聚偏氟乙烯溶液,然后在高剪切搅拌机中搅拌10~15min,再在超声分散30min,冷却到室温,得到悬浊液,悬涂后,真空干燥,制得二维钛酸钡填料掺杂的聚偏氟乙烯基复合介质薄膜。本发明复合材料兼具钛酸钡介电常数高和PVDF击穿场强高、机械性能优异等优点,可用于制作高性能电容器、传感器、航天器以及电应力控制器件等。
一种二维钛酸钡填料掺杂的聚偏氟乙烯基复合介质薄膜及其制备方法,它属于复合介质与能量储存领域。本发明利用熔盐法制备具有高介电常数的二维片状钛酸钡,以此作为填料,将聚偏氟乙烯加入N,N‑二甲基甲酰胺溶液中,超声分散30min,得到聚偏氟乙烯溶液,按照一定料液比将处理后的二维片状钛酸钡晶体加入聚偏氟乙烯溶液,然后在高剪切搅拌机中搅拌10~15min,再在超声分散30min,冷却到室温,得到悬浊液,悬涂后,真空干燥,制得二维钛酸钡填料掺杂的聚偏氟乙烯基复合介质薄膜。本发明
复合材料兼具钛酸钡介电常数高和PVDF击穿场强高、机械性能优异等优点,可用于制作高性能电容器、
传感器、航天器以及电应力控制器件等。