简介： 本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种IGBT电气单元封装件。本发明提供的IGBT电气单元封装件包括：散热底板、外壳、盖板和IGBT电气单元，本发明中散热底板采用52％‑58％体积分数的AlSiC复合材料，IGBT电气单元封装件采用AlN陶瓷直接覆铜基板，绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片与陶瓷直接覆铜基板之间连接采用纳米Ag焊膏低压烧结工艺。本发明中的IGBT电气单元封装件采用具有高气密性的封装结构，保证该IGBT电气单元封装件在高海拔应用场景如安装在运输机、战斗机上时，不会发生由于气压降低导致IGBT电气单元封装件内部耐压能力下降的情况，保证IGBT电气单元封装件的可靠性。