简介： 本发明属于传感器技术领域，具体为一种抗污染场效应晶体管传感器及其制备方法。本发明场效应晶体管传感器包括：绝缘衬底；在绝缘衬底上的石墨烯层；在石墨烯层两端的源漏电极；在石墨烯表面生长的共价有机框架材料形成的复合薄膜，作为导电传感沟道层。检测时。将场效应晶体管置于测试溶液中，连接电学测试设备，向溶液中加入检测物，实时检测电流的变化。本发明填补了共价有机框架复合材料在场效应晶体管传感器中应用的空白。这种传感器普适性好，反应装置简单，成本低，具有优异的抗污染性能，能够排除溶液中污染物的影响。