简介： 本发明公开了一种石墨化多壁碳纳米管提高复合薄膜介电常数的方法。在本发明中，该复合材料由聚酰亚胺为基体，GMWCNT为介电填料，以期制备出具有高介电常数的PI/GMWCNT复合薄膜材料。其中，GMWCNT所占的聚酰亚胺的体积分数为0.5‑3.13vol％。按照本发明的制备方法，能够使得聚酰亚胺复合薄膜获得较高的介电常数。另外，由于GMWCNT在基体中具有较好的分散稳定性，确保了PI/GMWCNT复合薄膜维持较低的介电损耗。本发明制备的高介电常数聚酰亚胺复合薄膜材料用于电子工业中高密度的能量存储装置。