简介： 本发明公开了一种NiO复合薄膜、量子点发光器件及其制备和应用，采用M:NiO/NiO复合薄膜结构，由M金属掺杂NiO的M:NiO薄膜层和NiO薄膜层复合而成具有NiO成分梯度的M:NiO/NiO结构形式的复合材料薄膜，其中M金属为Li、Mg和Cu中的任意一种金属或合金，M金属掺杂NiO薄膜层中M掺杂摩尔比例为1~5mol%。既能解决空穴注入问题，改善器件中的载流子注入平衡，进而提高器件的性能及其稳定性，解决了现有量子点发光器件寿命短的问题。本发明除阴极使用真空蒸镀外，包括无机空穴复合层在内的全部功能层全部使用溶液旋涂法进行薄膜的制备，材料易获取，方法简单，成本较低。