简介:
本发明涉及复合材料领域,尤其是高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷,经过原料成分合理配比,结合氮化烧结工艺,采用先预热至600‑800℃时,通入氮气方式,使原料混合物在非氮气氛围下受热,使得硅粉预热,再结合氮气通入,以及原料中氮化硅存在的环境下,实现对硅粉催化氮化,促使氮化硅形成,提高硅粉氮化率,促进硅粉形成的氮化硅与原料中的氮化硅在液相下结合,实现在碳化硅粉末间穿插,增强氮化硅与碳化硅结合的强度,提高陶瓷材料的致密性;且经氮气合理时间通入,避免了氮化硅在1600℃以上发生分解,增强了陶瓷材料强度和致密性,使得烧结制品的的密度>2.65g/cm3,断面细腻,气孔不可见,提高了陶瓷材料的抗热震性能和延长了陶瓷制品的使用寿命。
本发明涉及
复合材料领域,尤其是高强度氮化硅复合
碳化硅陶瓷,经过原料成分合理配比,结合氮化烧结工艺,采用先预热至600‑800℃时,通入氮气方式,使原料混合物在非氮气氛围下受热,使得硅粉预热,再结合氮气通入,以及原料中氮化硅存在的环境下,实现对硅粉催化氮化,促使氮化硅形成,提高硅粉氮化率,促进硅粉形成的氮化硅与原料中的氮化硅在液相下结合,实现在碳化硅粉末间穿插,增强氮化硅与碳化硅结合的强度,提高陶瓷材料的致密性;且经氮气合理时间通入,避免了氮化硅在1600℃以上发生分解,增强了陶瓷材料强度和致密性,使得烧结制品的的密度>2.65g/cm
3,断面细腻,气孔不可见,提高了陶瓷材料的抗热震性能和延长了陶瓷制品的使用寿命。