简介： 本发明公开了一种基于偏转与钝化机制的陶瓷‑金属高KT结构的制备方法，步骤如下：在金属基板上加工出与陶瓷颗粒形状尺寸相符合的孔阵列，将陶瓷颗粒预置到基板后喷砂，随后使用金属对预置陶瓷颗粒的基板进行封装，进而实现了基于偏转与钝化机制的陶瓷‑金属高KT结构制备。本申请将大尺寸陶瓷颗粒封装入具有优化孔洞阵列的构件中形成陶瓷‑金属复合材料，一方面陶瓷阵列能够有效钝化多发D冲击，克服了陶瓷复合ZJ不抗多发D的弊端，提供防护能力的同时实现了减重，另一方面高于陶瓷颗粒的基板间隙能够改变D丸D道，使D丸向陶瓷颗粒偏转，实现了防护薄弱区的增强，获得理想的高抗侵彻能力。