简介： 本发明公开了一种基于可逆硼氧键的低温自修复导电材料，是由硼氧键连接羟基化合物形成的自修复基体与导电介质构成。本发明低温自修复导电材料能够在‑40～25℃范围内自修复；无需外部刺激即可修复结构完整性和导电能力。本发明的复合材料在耐低温电阻应变传感器和电子皮肤等方面有巨大应用潜力。