简介： 一种阵列基板，包括衬底、设置于衬底上的第一金属层和有源层、层间绝缘层以及第二金属层，第一金属层至少形成第一走线，层间绝缘层设置于第一金属层和有源层中的远离衬底的一者上，第二金属层设置于层间绝缘层上，层间绝缘层上设有第一接触孔，第二金属层通过第一接触孔与第一走线连接；其中，第一金属层包括沿远离衬底方向依次层叠的导电层和第一保护层。将第一金属层的钼材料替换为层叠的导电层和保护层的复合材料，既保证了第一金属层在高温下的导电性能以及抑制小丘产生的功能，也能避免保护层受到后制程中的氢氟酸腐蚀，进而提高低温多晶硅制程的稳定性以及产品的品质。