本发明公开了一种氮掺杂
石墨烯/PVDF复合介电薄膜及其制备方法,其特征在于:所述的氮掺杂石墨烯/PVDF复合介电薄膜(以下简称复合介电薄膜)是在石墨烯晶格中引入氮原子,得到氮掺杂石墨烯,所述的氮掺杂石墨烯与石墨烯具有迥异的结构和性质,本发明是通过调整氮掺杂量实现其在p型和n型半导体之间的转换来实现的,采用溶液浇铸法进行制备的,有益效果是:由于氮掺杂石墨烯具有高强度、高导电率、高比表面积,用其对聚合物材料进行改性可以得到高性能的聚合物基
复合材料,所以氮掺杂石墨烯/PVDF复合介电薄膜具有高导电率、高强度、高热稳定性并具有一定的阻燃性。