简介： 本发明公开了一种双贵金属修饰有机‑无机杂化钙钛矿衍生复合氧化物半导体材料、其制备方法及其应用。本发明通过湿化学法合成CH3NH3SnI3并通过在不同温度下焙烧形成CH3NH3SnI3‑SnO2复合氧化物，在合成过程中引入贵金属对其进行修饰，获得双贵金属Pd‑Au修饰的复合材料。CH3NH3SnI3和SnO2复合形成Z型材料，加快了SnO2的活化，同时避免了电子和空穴的复合，提高了材料的CO气敏性能，而Pd和Au的协同作用，则使材料的性能进一步提高，其对CO具有较高的响应值，较快的响应恢复速率，较好的稳定性和选择性。本发明制备方法简单，易于实施，适合推广应用。