简介： 本发明公开了一种光栅状复合多铁薄膜的制备方法。包括以下步骤：（1）将Pt/TiO2/SiO2/Si衬底清洁、干燥后，旋涂一层光刻胶，采用光刻方法在衬底上制备出光栅状结构，光栅周期为2μm，线宽为1μm；（2）通过薄膜制备技术，制备一层磁性材料的薄膜；并通过快速退火技术，使磁性薄膜晶化；（3）选择适当的溶剂，通过超声清洗清除上述样品上附着的光刻胶及光刻胶正上方的磁性材料薄膜；（4）再次通过薄膜制备技术，制备另一层铁电材料的薄膜，并控制其厚度；（5）通过快速退火等方法，使得复合薄膜进一步晶化。本发明结构新颖，制备简单，可在新型复合材料制备等领域获得应用。