简介:
本发明属于光催化剂材料领域,利用COF‑316优异的光吸收及光电转化能力,THFB‑COF‑Zn丰富的金属活性位点,提高电子的传输速率和CO2还原效率。通过构筑COF‑316/THFB‑COF‑Zn纳米片异质结,有效减小异质结界面间的电子传输阻力,抑制光生电子与空穴对的复合,解决传统异质结材料由于接触面积有限而造成的较低的界面电子传递效率和CO2还原效率较低的问题。本发明采用简单的超声法将COF‑316和THFB‑COF‑Zn剥离成纳米片,再超声合成COF‑316/THFB‑COF‑Zn异质结材料,制备过程简单,试剂用量少且产率高,可达到80%以上。实验表明该纳米片异质结材料具有优异的光催化CO2还原性能,当COF‑316NSs/THFB‑COF‑ZnNSs复合材料质量比为5:5时CO的平均产率达到最高值为95.9μmol·g‑1·h‑1。
本发明属于光催化剂材料领域,利用COF‑316优异的光吸收及光电转化能力,THFB‑COF‑Zn丰富的金属活性位点,提高电子的传输速率和CO2还原效率。通过构筑COF‑316/THFB‑COF‑Zn纳米片异质结,有效减小异质结界面间的电子传输阻力,抑制光生电子与空穴对的复合,解决传统异质结材料由于接触面积有限而造成的较低的界面电子传递效率和CO2还原效率较低的问题。本发明采用简单的超声法将COF‑316和THFB‑COF‑Zn剥离成纳米片,再超声合成COF‑316/THFB‑COF‑Zn异质结材料,制备过程简单,试剂用量少且产率高,可达到80%以上。实验表明该纳米片异质结材料具有优异的光催化CO2还原性能,当COF‑316NSs/THFB‑COF‑ZnNSs
复合材料质量比为5:5时CO的平均产率达到最高值为95.9μmol·g‑1·h‑1。