简介:
本发明属于复合材料技术领域,具体涉及一种高导热低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该高导热低温共烧陶瓷材料以ZBNAS玻璃粉末、碳化硅纳米线、氧化铝陶瓷粉末、石墨烯纳米片及其他助剂为原料。本发明采用流延成型法形成生瓷片,然后在850℃的温度下烧结,工艺简单易行,适于工业生产。ZBNAS玻璃粉末的粒径300‑500nm,比表面积大,表面活化能高,浸润性能好,在高温下熔融后可以更好的润湿陶瓷粉末,提升LTCC致密性。制备的生瓷片具有一定的拉伸性能和弯曲性能,方便从流延机上流延成型后成卷和裁剪。制备的低温共烧陶瓷致密度高,导热系数达到9W/(m·K)以上,热膨胀系数为4×10‑6℃‑1,与硅具有良好的匹配性,在电子封装领域有很大的应用前景。
本发明属于
复合材料技术领域,具体涉及一种高导热低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该高导热低温共烧陶瓷材料以ZBNAS玻璃粉末、
碳化硅纳米线、
氧化铝陶瓷粉末、
石墨烯纳米片及其他助剂为原料。本发明采用流延成型法形成生瓷片,然后在850℃的温度下烧结,工艺简单易行,适于工业生产。ZBNAS玻璃粉末的粒径300‑500nm,比表面积大,表面活化能高,浸润性能好,在高温下熔融后可以更好的润湿陶瓷粉末,提升LTCC致密性。制备的生瓷片具有一定的拉伸性能和弯曲性能,方便从流延机上流延成型后成卷和裁剪。制备的低温共烧陶瓷致密度高,导热系数达到9W/(m·K)以上,热膨胀系数为4×10‑6℃‑1,与硅具有良好的匹配性,在电子封装领域有很大的应用前景。