简介： 一种三明治结构介电储能复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1，在SrTiO₃基底上，依次沉积SrAlO₃、BaTiO₃，采用旋涂工艺在BaTiO₃上制备PVDF膜，采用磁控溅射的方法在PVDF膜上沉积Au作为底电极；步骤2，在Si基底上，采用流延工艺制备厚度为大约20μm的PVDF；步骤3，采用热压工艺将SrTiO₃基底有Au面和Si基底PVDF面压合，将BaTiO₃以上的膜全部转移到Si基底上；步骤4，在BaTiO₃上采用旋涂工艺制备PVDF膜，再利用掩膜版，采用磁控溅射技术在PVDF上沉积Au作为顶电极，得到三明治结构复合薄膜。本发明采用的无机铁电材料为外延的BaTiO₃薄膜，与传统的BaTiO₃颗粒具有显著差异，此外，该工艺为进一步降低复合材料漏导电流提供了新思路。