简介： 本发明涉及一种纯化SiC粉料晶体结构与改善其圆整度的方法，包括以下步骤：a、将SiC粉料置于高温箱式电阻炉中，升温至1300～1600℃于空气中煅烧3～7h后，随炉冷却至室温；b、加入混合酸搅拌10～12h后，静置12～24h，用去离子水清洗至pH值为7.0后烘干；c、将SiC粉料置于高温烧结炉中，升温至1800～2200℃于氩气中煅烧3～7h，随炉冷却至室温；d、加入混合酸中搅拌10～12h，静置12～24h，去离子水清洗至pH值为7.0后于烘干。本发明的方法提高SiC晶体的结晶度，改善SiC颗粒的异构体现象，从而降低晶体结构和几何外形等缺陷对后续所制备的SiC/Al复合材料性能影响。