简介： 本发明属于铁电薄膜技术领域，具体涉及一种LaMnO₃调控Bi₄Ti₃O₁₂带隙的过渡金属氧化物铁电薄膜及其制备方法，以LaMnO₃插入Bi₄Ti₃O₁₂的过渡金属氧化物铁电陶磁为靶材，以(001)面SrTiO₃为衬底，通过脉冲激光分子束外延技术沉积Bi₄Ti₃O₁₂‑LaMnO₃薄膜。本发明制备LaMnO₃插入Bi₄Ti₃O₁₂过渡金属氧化物基多铁薄膜的方法，整个过程都在同一腔体内进行从而保证了样品的纯度，采用常规设备，非常利于推广。制得的复合材料薄膜表现为强铁电性，在深紫外区具有较高的透射率，可以透过较高能量的光子，为过渡金属氧化物基多铁新型器件提供理论与技术基础，具有广阔的应用前景。