简介： 本发明涉及一种化学气相沉积法制备同轴碳化硅/二氧化硅纳米电缆的方法，将浸泡后的碳/碳复合材料置于在沉积炉，抽真空再通氩气至常压，然后向装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气，将反应气源甲基三氯硅烷带入炉堂内，同时通入稀释氩气及稀释氢气进入反应。本发明合成工艺简单，不需要预先合成工艺；碳化硅/二氧化硅（内芯/外层）同轴纳米电缆在常压下制得，对设备的要求低；沉积温度较低，降低了制备成本；此外，还有一个突出的特点是可以通过调整沉积工艺参数有效控制碳化硅/二氧化硅（内芯/外层）同轴纳米电缆的纯度和均匀性。这些优点让大规模工业生产碳化硅/二氧化硅（内芯/外层）同轴纳米电缆成为可能。