简介： 在铟锡氧化合物上生长电场调控透光率共轭环薄片方法，涉及光电领域。步骤：1)将类芳香化合物单体、过硫酸系氧化剂、钠盐类表面活性剂、吸电子型掺杂剂混合，将反应物溶于水中，搅拌后得混合溶液；2)将铟锡氧化合物基体底片清洗后将导电面朝上浸泡在步骤1)所得混合溶液中，取出后再清洗，令共轭活性链段在改性过后的铟锡氧化合物基体表面均匀生长，随后进行热处理，即完成在铟锡氧化合物上生长电场调控透光率共轭环薄片，得表面多孔类芳香性高分子微米级薄片。节约能源，增强微米级薄片制备的可重复性。避免原子对光的散射，降低微米级薄片的雾度。实现C、H、N缺电子化合物与铟锡氧化合物基体的化学键结合，延长复合材料使用寿命。