简介： 一种含纳米银颗粒的氮化硼薄膜的制备方法,属于纳米金属颗粒与宽带隙半导体材料复合材料领域。本发明步骤如下:第一步:将硅或者石英衬底进行清洗之后,在衬底材料上使用溅射方法沉积纳米银颗粒,沉积时间5s～10s范围,功率40～80W;工作气体为Ar气体,工作气压小于1Pa,抽真空;在第一步的基础上以溅射的方法沉积六方氮化硼薄膜,功率100～200W,时间10～40mins;工作气体为Ar/N2体积比为2∶3的混合气体,工作气压为1Pa,抽真空;对含有纳米银颗粒的六方氮化硼薄膜进行氮气保护退火;退火温度为500～900℃;恒温20～60分钟。本发明实现了宽带隙半导体材料的红外光谱增强。