简介： 本发明涉及一种金属杂原子掺杂二维SnS₂纳米片阵列垂直生长在碳布上作为钠离子电池负极材料的制备方法。该方法步骤包括：将金属盐，锡化物和硫化物按照一定摩尔比混合均匀成稳定的溶液后转移至放置碳布的反应釜中，一定温度下反应一段时间；结束后用蒸馏水、无水乙醇反复冲洗碳布数次，干燥后得到金属杂原子掺杂的SnS₂纳米片生长在碳布上的复合材料。本发明的优点在于：条件易控，工艺简单可行，无污染，产物具有优异的比容量，倍率性能和快速充放电性能。