一维硅碳负极材料及其制备方法
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一维硅碳负极材料及其制备方法
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简介: 本发明公开了一维硅碳负极材料及其制备方法,该硅碳负极材料主要由硅纳米线、钝化膜和高温裂解碳组成。本发明针对单质硅的缺点,对硅进行纳米化,采用一维硅纳米线为硅源,在氧化性气氛中在其表面形成一层钝化膜,作为保护层,来抑制其体积膨胀。并以高温裂解碳包覆,一方面可以作为包覆层保护硅纳米线,避免其与电解液的直接接触。另一方面,又可提高单质硅的电导率。本发明合成的硅碳复合材料作为锂离子电池负极时,表现出了优异的电化学性能和良好的循环稳定性。
本发明公开了一维硅碳负极材料及其制备方法,该硅碳负极材料主要由硅纳米线、钝化膜和高温裂解碳组成。本发明针对单质硅的缺点,对硅进行纳米化,采用一维硅纳米线为硅源,在氧化性气氛中在其表面形成一层钝化膜,作为保护层,来抑制其体积膨胀。并以高温裂解碳包覆,一方面可以作为包覆层保护硅纳米线,避免其与电解液的直接接触。另一方面,又可提高单质硅的电导率。本发明合成的硅碳复合材料作为离子电池负极时,表现出了优异的电化学性能和良好的循环稳定性。
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标签:复合材料
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