简介： 本发明涉及到一种基于多铁性薄膜的磁记录介质,包括基片和生长在基片上的介质层,其特征在于所述的介质层包括有由铁电材料构成的铁电结构单元和由铁磁材料构成的铁磁结构单元。其写入方法为:信号源产生的电信号施加于铁电结构单元两端,信号源产生的脉冲电压信号改变铁电层的极化状态,通过磁电耦合效应,电极化状态的改变会进一步改变铁磁结构单元中的磁化方向,从而记录下电信号的状态,完成信息的存储。与现有技术相比,本发明在传统的磁记录介质的基础上,提出了一种新型的多铁性复合材料的磁记录介质,并给出了多种记录介质的结构;这种以多铁性材料为记录的介质,可以实现电写入的磁记录方法,这对于高密度存储、新型多功能器件而言,都具有很大的应用前景。