简介： 一种制备AL/ALN电子封装材料的方法,属于电子封装技术领域。工艺步骤为:使用凝胶注模成形或注射成形制备MG粉与AL粉的混合粉末或镁铝合金粉末坯体;坯体在温度为100℃～500℃和非氧化气氛下排除有机物;使上一步得到的坯体在温度为在600℃～900℃,氮气分压为1KPA～10MPA的气氛中烧结30分钟～120小时。优点在于。最终得到AL/ALN复合电子封装材料,该材料的N的质量分数量为3%～30%。同时,制备的AL/ALN复合材料的热导率在100W/M·K以上,满足了电子产品散热的需求。实现了低成本的制造高热导低热膨胀的电子封装材料。