简介： 本发明公开了一种SiC陶瓷表面处理方法及其用途，其特征在于，包括下述步骤：先清洗SiC陶瓷表面，然后制备TiH2膏剂，并在陶瓷表面涂敷TiH2膏剂，待干燥后，置于真空炉内热处理以使TiH2完全分解形成活性Ti，并使Ti与SiC反应在陶瓷体表面形成具有一定金属性和高稳定性的Ti(C，Si)复合陶瓷层。本发明可在SiC陶瓷-金属基复合材料或复合部件的制备或SiC陶瓷作为发热体或锅体在与熔融有色金属接触过程中，阻挡金属熔体对SiC陶瓷基体的熔解，或提高润湿性，改善界面结合，从而使得后续制备的复合材料或结构、焊接部件或与金属熔体接触的陶瓷部件具有高可靠性、使用寿命长等优点。