基于EB-PVD与Sol-Gel的全固态参比电极制备方法
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基于EB-PVD与Sol-Gel的全固态参比电极制备方法
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简介: 本发明提供一种基于EB-PVD与Sol-Gel的全固态参比电极制备方法,采用满足大规模工业生产的EB-PVD技术,在Ti基体上沉积Mo/Ta二元合金薄膜,对制备态薄膜在控制O2气氛下进行后氧化处理,形成混合金属氧化物层,使得二元合金膜层具备参比电极功能;以丙烯酰胺及丙烯酸为载体,制备维持电极电位稳定的Sol-Gel复合材料导电功能层;集成所制备的参比电极功能层及导电层,构建具有五层结构的全固态参比电极。本发明EB-PVD的沉积速率较快,能够在10min~30min内沉积数百微米的功能层薄膜,大大降低了制备时间。制备态的薄膜采用后氧化工艺处理,使得薄膜出现从未氧化到完全氧化的梯度状态,确保电化学性能的有效性。
本发明提供一种基于EB-PVD与Sol-Gel的全固态参比电极制备方法,采用满足大规模工业生产的EB-PVD技术,在Ti基体上沉积Mo/Ta二元合金薄膜,对制备态薄膜在控制O2气氛下进行后氧化处理,形成混合金属氧化物层,使得二元合金膜层具备参比电极功能;以丙烯酰胺及丙烯酸为载体,制备维持电极电位稳定的Sol-Gel复合材料导电功能层;集成所制备的参比电极功能层及导电层,构建具有五层结构的全固态参比电极。本发明EB-PVD的沉积速率较快,能够在10min~30min内沉积数百微米的功能层薄膜,大大降低了制备时间。制备态的薄膜采用后氧化工艺处理,使得薄膜出现从未氧化到完全氧化的梯度状态,确保电化学性能的有效性。
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标签:复合材料
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